三星電子稱，為了滿足快速發(fā)展的智能手機(jī)及日漸熱門(mén)的大容量便攜式電子設(shè)備市場(chǎng)，將從本月起量產(chǎn)業(yè)界首款高性能32GB(gigabyte) microSD存儲(chǔ)卡。

據(jù)悉，這是繼去年二月三星電子在行業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)采用30納米級(jí) (1納米相當(dāng)于10億分之一米) 32Gb(bit) 3bit NAND 芯片的32GB microSD產(chǎn)品后，今年再次率先量產(chǎn)采用20 納米級(jí) 3bit NAND Flash技術(shù)平臺(tái)，創(chuàng)造出同等規(guī)格中最高技術(shù)水平的CLASS10(10MB/秒) 32GB microSD，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了產(chǎn)品陣容。
　　
記者了解到，新產(chǎn)品收納了20 納米級(jí) 3bit NAND Flash和三星獨(dú)自設(shè)計(jì)的3bit 專用控制器，三星的32GB microSD卡的速度也提高了兩倍，與現(xiàn)有的30 納米級(jí) 3bit NAND Flash Class4 32GBmicroSD(最快寫(xiě)入速度每秒7MB)相比，寫(xiě)入及讀取速度分別提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量與高性能, 特別適用于4G智能手機(jī)。

此外，三星電子產(chǎn)品生產(chǎn)效率提升了30%之多，大大提高了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。有專家稱，由于三星半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，目前，三星在32GB以上大容量存儲(chǔ)市場(chǎng)的占有率在不斷擴(kuò)大，預(yù)計(jì)從2010年到2012年，三星半導(dǎo)體的市場(chǎng)占有率將由11%提升到23%。

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部存儲(chǔ)戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)部負(fù)責(zé)人洪完勛副董事長(zhǎng)向記者介紹說(shuō)，“ 32GB microSD CLASS10內(nèi)存卡令最近上市的智能手機(jī)達(dá)到完美速度”。洪完勛也表示，“在未來(lái)32GB microSD 市場(chǎng)上，我們的顧客在體驗(yàn)過(guò)32GB microSD CLASS10產(chǎn)品后，我相信他們肯定對(duì)大容量存儲(chǔ)卡的性能更加認(rèn)可和滿意”。

目前，三星電子計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn)采用20納米級(jí)64Gb 3bit 400Mbps NAND Flash的32GB以上大容量存儲(chǔ)卡，將持續(xù)擴(kuò)展高性能與大容量存儲(chǔ)卡市場(chǎng)。業(yè)內(nèi)人士表示，此舉在NAND Flash市場(chǎng)上持續(xù)擴(kuò)大容量閃存卡比重的同時(shí)，將引領(lǐng)閃存卡市場(chǎng)的發(fā)展。

這是個(gè)非常好的消息，意味著我們不久可以用更低的成本用上更大容量的存儲(chǔ)卡了。